Ученые из Пензенского государственного университета (ПГУ) и Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета "ЛЭТИ" запатентовали способ диагностики нановключений в тонкопленочных нанокомпозитах.

Разработка поможет создавать материалы нового поколения и найдет широкое применение в микро- и наноэлектронике, сообщили ТАСС в пресс-службе ПГУ.

"Предложенный способ диагностики нановключений в тонкопленочных нанокомпозитах позволит создавать и диагностировать новые функциональные материалы, в том числе наноструктурированные, также оптимизировать их структуру и свойства для конкретного применения. Запатентованный способ диагностики может использоваться на начальном этапе разработки высокотехнологичных устройств с улучшенными потребительскими характеристиками, включая высокочувствительные и селективные газовые сенсоры, миниатюрные и энергоэффективные датчики вакуума, а также суперконденсаторы", - сообщили в вузе.

Как пояснил один из авторов патента РФ на изобретение, кандидат физико-математических наук, доцент кафедры "Нано- и микроэлектроника" ПГУ Андрей Карманов, диагностика - один из ключевых этапов разработки новых технологий получения материалов с нановключениями. Она необходима для прогнозирования влияния внешних факторов на их свойства.

"Современные классические методы нанодиагностики практически не позволяют "увидеть" эволюцию нановключений в материале, то есть установить их наличие и проследить, как они меняются со временем. Кроме того, методы, обнаруживающие нановключения, дорогостоящие и сложные в реализации. Мы предлагаем дешевый, эффективный и доступный метод, он обеспечивает исследование эволюции нановключений в материале, что позволяет существенно упростить разработку устройств, где материал играет ключевую функциональную роль. Например, с помощью запатентованного решения можно оптимизировать структуру чувствительного элемента газового сенсора таким образом, чтобы он селективно детектировал только один газ и позволял регистрировать сверхмалые концентрации окислительных или восстановительных газов (на уровне 10 частиц молекул газа на миллиард любых других частиц)", - поделился Карманов.