Команда учёных под руководством профессора Яны Вайнзоф из Технического университета Дрездена продемонстрировала инновационную технологию фотогальванических элементов на основе способности материалов пребывать в различных кристаллических фазах и опубликовала свои выводы в журнале Nature Energy.
Группа исследователей открыла новый метод образования гетероперехода для фотогальванических элементов, используя полиморфизм материалов, при котором они могут приобретать разные свойства в зависимости от конкретного расположения атомов и молекул в его структуре. Совместив две фазы одного и того же материала, учёные показали образование фотогальванических элементов с фазовым гетеропереходом. Для этого был выбран перовскит из йодистого цезия и свинца как наиболее эффективный поглотитель солнечных лучей.
Фазовый гетеропереход открывает путь к формированию других подобных структур в будущем.
«Мы надеемся, что эта новая концепция в сочетании с простым способом изготовления фазовых гетеропереходов будет применима также к различным системам материалов в ряде электронных и оптоэлектронных устройств», — говорит профессор Вайнзоф.
Поскольку многие классы полупроводников демонстрируют полиморфизм, эта концепция может проложить путь к совершенно новым приложениям, работающим на основе фазовых гетеропереходов, которые могут быть созданы из одного материала с использованием простых и недорогих производственных процессов.