IBM заявила о чипе с рекордной плотностью транзисторов

При этом размер нанометров уже не отражает реальную геометрию транзисторов, так как они стали трёхмерными, а ключевым показателем считается плотность размещения.

Компания сообщает, что на чипе размером с ноготь удалось разместить почти 100 млрд транзисторов, что почти вдвое больше, чем у 2-нм поколения 2021 года. Это обеспечивает до 50% прироста производительности и до 70% роста энергоэффективности. Новая архитектура «nanostack» использует вертикальное многослойное размещение транзисторов из nanosheet-структур с толщиной около 15 атомных слоёв кремния.

Массовое производство ожидается не ранее чем через 5 лет. TSMC уже начала выпуск 2-нм чипов, а партнёр IBM Rapidus только готовится к аналогичному переходу.